SIA413DJ-T1-E3 datasheet
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>> SIA413DJ-T1-E3 MOSFET 12V 12A 19W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
SIA413DJ-T1-E3
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay/Siliconix
描述:
MOSFET 12V 12A 19W
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述
MOSFET 12V 12A 19W
SIA413DJ-T1-E3 PDF下载
制造商
Vishay/Siliconix
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
12 V
闸/源击穿电压
+/- 8 V
漏极连续电流
10 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)
29 mOhms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK SC-70-6L
封装
Reel
相关资料
属性
链接
代理商
SIA413DJ-T1-E3
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SIA415DJ-T1-E3
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供应商
公司名
电话
深圳廊盛科技有限公司
18229386512
李小姐
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
雷春艳
深圳市华芯盛世科技有限公司
0755-23941632
朱先生/李小姐
深圳市正永电子有限公司
0755-23930354
陈小姐
深圳市中平科技有限公司
0755-83946385
赖先生
刘学
刘先生
深圳市芯品会科技有限公司
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朱先生
深圳市企诺德电子有限公司
13480313979
胡
SIA413DJ-T1-E3 参考价格
价格分段
单价(美元)
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