买卖IC网 >> 产品目录 >> SIA413DJ-T1-E3 MOSFET 12V 12A 19W datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

SIA413DJ-T1-E3

库存数量:可订货
制造商:Vishay/Siliconix
描述:MOSFET 12V 12A 19W
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 12V 12A 19W
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制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 12 V
闸/源击穿电压 +/- 8 V
漏极连续电流 10 A
电阻汲极/源极 RDS(导通) 29 mOhms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SC-70-6L
封装 Reel
相关资料
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  • SIA413DJ-T1-E3 参考价格
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